大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠西安市城六区是哪几个、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shān西安市城六区是哪几个g)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)西安市城六区是哪几个艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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