大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zu一升等于多少毫升应该是1000，一升等于多少毫升mlò)出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　一升等于多少毫升应该是1000，一升等于多少毫升mlt="半导(dǎo)体突发！中国(guó)出手：停止(zhǐ)采(cǎi)购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以一升等于多少毫升应该是1000，一升等于多少毫升ml(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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