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一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗,远赴人间惊鸿宴全诗作者

一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗,远赴人间惊鸿宴全诗作者 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

  据(jù)网信(xìn)办消息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患,对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī),我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查,目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全,是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称(chēng),为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全,防范产(chǎ一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗,远赴人间惊鸿宴全诗作者n)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》,网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对(duì)美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头,也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗,远赴人间惊鸿宴全诗作者份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降,至少已经不是主要大供应商(shāng)。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng),采(cǎi)购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约(yuē),确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì),或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜(mó)沉积)等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升,以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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