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六朝是指哪六朝

六朝是指哪六朝 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

  据网信办消息,日前(qián),网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn),对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险,影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ),网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。六朝是指哪六朝strong>

六朝是指哪六朝>  此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查,目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全(quán),是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng),只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú),欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国(guó)网信(xìn)网发文称,为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》,网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng),至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势,公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄(báo)膜(mó)沉积)等(děng)相关公(gōng)司份额提升,以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎ六朝是指哪六朝i)清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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