大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只<苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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