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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 9士官生是什么意思，大学士官生是士官生是什么意思，大学士官生是什么什么6.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司(sī)也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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