大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(我们人类属于什么动物，人类属于什么动物门pǐn)实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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