大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)堪用是什么意思拼音，堪是什么意思解释产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(è堪用是什么意思拼音，堪是什么意思解释r)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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