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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆(中国飞机事故率是多少yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品中国飞机事故率是多少ng>

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现中国飞机事故率是多少在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。