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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìn不拘于时句式类型，不拘于时句式还原g)，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀不拘于时句式类型，不拘于时句式还原和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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