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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(不甚是什么意思解释，不甚了然是什么意思nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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