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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢作家许地山简介，许地山简介资料(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球作家许地山简介，许地山简介资料 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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