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夏朝距今多少年,夏朝距今多少年2022

夏朝距今多少年,夏朝距今多少年2022 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则(zé)突发消息(xī)。

  美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前(qián),网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险,影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此,网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī),我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全(quán),是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng),只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求,欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全,防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn),维(wéi)护国(guó)家安全,依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》,网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》,对(duì)美光公司(s夏朝距今多少年,夏朝距今多少年2022ī)(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出(chū)手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī),2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据夏朝距今多少年,夏朝距今多少年2022市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示,江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合约,确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势,公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

  有券(quàn)商此(cǐ)前就分析,如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制,或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露,薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等(děng)收入增长。

 

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