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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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